演讲题目:SiC MOSFET测试、特性、应用技术概述
时间:2019年6月28日(周五)下午1:30
地点:2教南228
高远个人简介
龙腾半导体有限公司技术经理,高级工程师,西安交通大学电气工程专业硕士。2015年-2018年在台达电力电子研究中心任资深研发工程师。长期从事功率半导体器件动静态特性测试与评估,熟悉各类高精尖测试设备在电源领域的应用,对SiC功率器件特性与应用挑战有深入研究和深刻认知。
演讲内容简介
相比于Si基器件,SiC功率器件拥有更快的开关速度、更高的工作温度上限,使电源产品能够实现更高的效率、更高的功率密度。但SiC MOS让工程师又爱又恨,这是因为SiC MOS在开关过程中具有更高的dv/dt和di/dt并带来一系列问题,如关断电压尖峰、Crosstalk、共摸干扰等,工程师面临诸多技术挑战。
针对SiC MOSFET应用中的问题,将对以下内容进行讲解
1)SiC功率器件特性
2)SiC MOSFET特性测试
3)高di/dt应对
4)高dv/dt应对
5)SiC MOSFET驱动电路设计